Uno degli approcci di modellazione termica più comuni per simulare un componente principalmente in regime stazionario è il metodo di modellazione termica compatta 2R (Two Resistor). Tuttavia, con il tipico approccio di modellazione 2R, la potenza è impostata come valore costante o determinata da una semplice equazione. Questo approccio non è adatto a un IGBT che è soggetto a perdite elettriche ed è meglio previsto utilizzando una caratteristica Corrente-Tensione non lineare.
Con Simcenter FLOEFD 2306 è disponibile una nuova opzione per la modellazione degli IGBT data dalla combinazione di un elemento elettrico e di un modello 2R che consente di determinare la fonte di calore mediante una curva caratteristica non lineare Corrente-Tensione.
Come funziona il modello compatto IGBT di Simcenter FLOEFD durante una simulazione? All’iterazione corrente si ottiene un valore di temperatura di giunzione che viene utilizzato per prevedere la potenza dell’IGBT dal grafico I-V, che può essere applicato al modello 2R come fonte di calore e così via con l’avanzare delle iterazioni.
Questo breve video illustra i passaggi per l’impostazione, la post-elaborazione e le opzioni di istanziazione del modello compatto IGBT.